Microsemi APT APT100S20BG HF Power MOSFET IGBT Hochvolt Schottky Dioden 200V

xihu888
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Artikelmerkmale

Artikelzustand
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Mounting Style
Through-Hole
Configuration
Single
Collector-Emitter Voltage
100 V, -100 V
Maximum Collector-Base Voltage
200 V
Number of Elements per Chip
1
MPN
APT100S20BG
Transistor Category
Power Transistor
Minimum Operating Temperature
-55 °C (-67 °F)
Brand
Microsemi
Series
2N2907
Type
IGBT
Maximum DC Collector Current
120 A
Number of Pins
3
Maximum Operating Temperature
150 °C (302 °F)
UPC
Does not apply
Kategorie

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xihu888

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