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IC Speicher DRAM 511000 1M 1024Kx1 100ns NMOS Seite/Test Hitachi HM511000S DIP18
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IC Speicher DRAM 511000 1M 1024Kx1 100ns NMOS Seite/Test Hitachi HM511000S DIP18
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IC Speicher DRAM 511000 1M 1024Kx1 100ns NMOS Seite/Test Hitachi HM511000S DIP18

SLAWMIR Electronics
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    eBay-Artikelnr.:156719434264
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    Artikelmerkmale

    Artikelzustand
    Neu: Sonstige (siehe Artikelbeschreibung): Neuer, unbenutzter Artikel, ohne Gebrauchsspuren. Die ...
    MPN
    HM511000P-10S HITA 8747 DIP18
    Gehäusematerial
    PLASTIK
    Marke
    Hitachi
    Anzahl der Pins
    18
    Typ
    DRAM
    Schnittstellentyp
    Spannungslogikschnittstelle
    Maximale Betriebstemperatur
    70 °C (158 °F)
    Speichergröße
    1 Mbit
    Minimale Betriebstemperatur
    0 °C (32 °F)
    Montageart
    PCB Fassung
    Serie
    511000S
    Minimale Betriebsspannung
    4,5 V
    Herstellungsland und -region
    Japan
    Maximaler Eingangsstrom
    60mA
    Maximale Betriebsspannung
    5,5 V
    EAN
    Nicht zutreffend
    Kategorie

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    Rechtliche Informationen des Verkäufers

    USt-IdNr.: PL 5210443539
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