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Silicon Non-Volatile Memories : Paths of Innovation, Hardcover by De Salvo, B...
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rhan1996
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    Sehr gut: Buch, das nicht neu aussieht und gelesen wurde, sich aber in einem hervorragenden Zustand ...
    Book Title
    Silicon Non-Volatile Memories : Paths of Innovation
    ISBN
    9781848211056
    Kategorie

    Über dieses Produkt

    Product Identifiers

    Publisher
    Wiley & Sons, Incorporated, John
    ISBN-10
    1848211058
    ISBN-13
    9781848211056
    eBay Product ID (ePID)
    71761097

    Product Key Features

    Number of Pages
    256 Pages
    Language
    English
    Publication Name
    Silicon Non-Volatile Memories : Paths of Innovation
    Subject
    Electronics / Semiconductors, Hardware / General, Electronics / Circuits / Integrated, General, Computer Engineering
    Publication Year
    2009
    Type
    Textbook
    Subject Area
    Computers, Technology & Engineering
    Author
    Barbara De Salvo
    Format
    Hardcover

    Dimensions

    Item Height
    0.8 in
    Item Weight
    18.4 Oz
    Item Length
    9.5 in
    Item Width
    6.5 in

    Additional Product Features

    Intended Audience
    Scholarly & Professional
    LCCN
    2009-016200
    Dewey Edition
    22
    Illustrated
    Yes
    Dewey Decimal
    621.39732
    Table Of Content
    Preface vii Chapter 1. Introduction 1 Chapter 2. Semiconductor Industry Overview 7 2.1. The cyclical semiconductor market 7 2.2. The leading IC companies 12 2.3. The world IC market distribution 17 2.4. Semiconductor sales by IC devices 19 2.5. The semiconductor memory market 22 2.6. The impressive price decline of IC circuits 26 2.7. Moore's Law, the ITRS and their economic impacts 33 2.8. Exponential growth of manufacturing and R&D costs 46 2.9. The structural evolution of the semiconductor industry 56 2.10. Consolidation of the semiconductor memory sector 64 2.11. Conclusions 70 2.12. References 73 Chapter 3. Research on Advanced Charge Storage Memories 77 3.1. Key features of Flash technology 78 3.2. Flash technology scaling 87 3.3. Innovative paths in silicon NVM technologies 96 3.4. Research on advanced charge storage memories 97 3.4.1. Silicon nanocrystal memories 97 3.4.2. Silicon nanocrystal memories with high-k IPDs 112 3.4.3. Hybrid silicon nanocrystal/SiN memories with high-k IPDs 117 3.4.4. Silicon nanocrystal double layer memories with high-k IPDs 119 3.4.5. Metal nano-dots coupled with organic templates 121 3.4.6. High-k IPD-based memories 127 3.4.7. High-k/metal gate stacks for "TANOS" memories 136 3.4.8. FinFlash devices 139 3.4.9. Molecular charge-based memories 151 3.4.10. Effects of the few electron phenomena 159 3.5. Conclusions 163 3.6. References 164 Chapter 4. Future Paths of Innovation 171 4.1. 3D integration of charge-storage memories 172 4.2. Alternative technologies 185 4.2.1. Ferro RAMs 187 4.2.2. Magnetic RAMs 187 4.2.3. Phase-change RAMs 188 4.2.4. Conductive bridging RAMs 199 4.2.5. Oxide resistive RAMs 202 4.2.6. New crossbar architectures 206 4.3. Conclusion 215 4.4. References 216 Chapter 5. Conclusions 223 5.1. References 232 Index 233
    Synopsis
    This book provides a comprehensive overview of the different technological approaches currently being studied to fulfill future memory requirements. Two main research paths are identified and discussed. Different "evolutionary paths" based on new materials and new transistor structures are investigated to extend classical floating gate technology to the 32 nm node. "Disruptive paths" are also covered, addressing 22 nm and smaller IC generations. Finally, the main factors at the origin of these phenomena are identified and analyzed, providing pointers on future research activities and developments in this area., This book provides a comprehensive overview of the different technological approaches currently being studied to fulfill future memory requirements. Two main research paths are identified and discussed., Semiconductor flash memory is an indispensable component of modern electronic systems which has gained a strategic position in recent decades due to the progressive shift from computing to consumer (and particularly mobile) products as revenue drivers for Integrated Circuits (IC) companies. This book provides a comprehensive overview of the different technological approaches currently being studied to fulfill future memory requirements. Two main research paths are identified and discussed. Different "evolutionary paths" based on the use of new materials (such as silicon nanocrystals for storage nodes and high-k insulators for active dielectrics) and of new transistor structures (such as multi-gate devices) are investigated in order to extend classical floating gate technology to the 32 nm node. "Disruptive paths" based on new storage mechanisms or new technologies (such as phase-change devices, polymer or molecular cross-bar memories) are also covered in order to address 22 nm and smaller IC generations. Finally, the main factors at the origin of these phenomena are identified and analyzed, providing pointers on future research activities and developments in this area.
    LC Classification Number
    TK7895.M4D495 2009

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    rhan1996

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