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Kristallwachstum und Bewertung von Silizium für VLSI und ULSI

GuthrieBooks
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eBay-Artikelnr.:305596633174
Zuletzt aktualisiert am 03. Jun. 2024 20:33:55 MESZAlle Änderungen ansehenAlle Änderungen ansehen

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“Ex-Library hardcover in very nice condition with the usual markings and attachments. Except for ...
Book Title
Crystal Growth and Evaluation of Silicon for VLSI and ULSI
ISBN
9781482232813

Über dieses Produkt

Product Identifiers

Publisher
CRC Press LLC
ISBN-10
1482232812
ISBN-13
9781482232813
eBay Product ID (ePID)
201718893

Product Key Features

Number of Pages
430 Pages
Language
English
Publication Name
Crystal Growth and Evaluation of Silicon for Vlsi and Ulsi
Publication Year
2014
Subject
Materials Science / General, Electronics / Circuits / Vlsi & Ulsi, Electronics / Microelectronics, Physics / General, Chemistry / General
Type
Textbook
Author
Golla Eranna
Subject Area
Technology & Engineering, Science
Format
Hardcover

Dimensions

Item Height
1.2 in
Item Weight
33.7 Oz
Item Length
10.3 in
Item Width
7.2 in

Additional Product Features

Intended Audience
College Audience
LCCN
2015-006228
Illustrated
Yes
Synopsis
Silicon, as a single-crystal semiconductor, has sparked a revolution in the field of electronics and touched nearly every field of science and technology. Though available abundantly as silica and in various other forms in nature, silicon is difficult to separate from its chemical compounds because of its reactivity. As a solid, silicon is chemically inert and stable, but growing it as a single crystal creates many technological challenges. Crystal Growth and Evaluation of Silicon for VLSI and ULSI is one of the first books to cover the systematic growth of silicon single crystals and the complete evaluation of silicon, from sand to useful wafers for device fabrication. Written for engineers and researchers working in semiconductor fabrication industries, this practical text: Describes different techniques used to grow silicon single crystals Explains how grown single-crystal ingots become a complete silicon wafer for integrated-circuit fabrication Reviews different methods to evaluate silicon wafers to determine suitability for device applications Analyzes silicon wafers in terms of resistivity and impurity concentration mapping Examines the effect of intentional and unintentional impurities Explores the defects found in regular silicon-crystal lattice Discusses silicon wafer preparation for VLSI and ULSI processing Crystal Growth and Evaluation of Silicon for VLSI and ULSI is an essential reference for different approaches to the selection of the basic silicon-containing compound, separation of silicon as metallurgical-grade pure silicon, subsequent purification, single-crystal growth, and defects and evaluation of the deviations within the grown crystals.
LC Classification Number
QD181.S6

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GuthrieBooks

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