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Transistoren
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SIRA18DP-T1-GE3 RA18 Transistor N-MOSFET 30V 33A VISHAY
dariuszpeter (1993)
99,8% positive Bewertungen
Preis:
EUR 4,81
(inkl. MwSt.)
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SIRA18DP-T1-GE3 RA18 Transistor: N-MOSFET 30V, 33A VISHAY
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Über dieses Produkt
Produktkennzeichnungen
Marke
Vishay
Herstellernummer
SIRA18DPT1GE3
eBay Product ID (ePID)
3025380133
Produkt Hauptmerkmale
Verpackung
Schnittband
Maximale Basis-Emitter Spannung
3 V
Maximaler DC Kollektorstrom
8 A
Kollektor-Emitter-Spannung
-30 V, 30 V
Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
1,0 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximale Basis-Emitter Sättigungsspannung
1,8 V
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Angebotstyp
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Zustand
-
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SIRA18DP-T1-GE3 RA18 Transistor: N-MOSFET 30V, 33A VISHAY
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