SIRA18DP-T1-GE3 RA18 Transistor N-MOSFET 30V 33A VISHAY

dariuszpeter (1993)
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Über dieses Produkt

Produktkennzeichnungen

MarkeVishay
HerstellernummerSIRA18DPT1GE3
eBay Product ID (ePID)3025380133

Produkt Hauptmerkmale

VerpackungSchnittband
Maximale Basis-Emitter Spannung3 V
Maximaler DC Kollektorstrom8 A
Kollektor-Emitter-Spannung-30 V, 30 V
Maximale Kollektor-Emitter Sättigungsspannung1,0 V
Anzahl der Elemente pro Chip1
Maximale Basis-Emitter Sättigungsspannung1,8 V

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